2N5551-AP

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2N5551-AP概述

TO-92 NPN 160V 0.6A

晶体管 - 双极 BJT - 单 NPN 300MHz 通孔 TO-92


得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V


艾睿:
If your circuit&s;s specifications require a device that can handle high levels of voltage, Micro Commercial Components&s; NPN 2N5551-AP general purpose bipolar junction transistor is for you. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 160 V and a maximum emitter base voltage of 6 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


富昌:
NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER


Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 Ammo


2N5551-AP中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.7 mm

宽度 3.68 mm

高度 4.7 mm

封装 TO-92-3

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5551-AP
型号: 2N5551-AP
描述:TO-92 NPN 160V 0.6A
替代型号2N5551-AP
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Micro Commercial Components 美微科

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