2SC5095-RTE85L,F

2SC5095-RTE85L,F图片1
2SC5095-RTE85L,F概述

Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3Pin USM T/R

RF Transistor NPN 10V 15mA 10GHz 100mW Surface Mount SC-70


得捷:
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70


安富利:
Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3-Pin USM T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3-Pin USM T/R


Win Source:
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SC70 / RF Transistor NPN 10V 15mA 10GHz 100mW Surface Mount SC-70


2SC5095-RTE85L,F中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 10 V

增益 13dB ~ 7.5dB

最小电流放大倍数hFE 50 @7mA, 6V

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC5095-RTE85L,F
型号: 2SC5095-RTE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.015A 3Pin USM T/R
替代型号2SC5095-RTE85L,F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SC5095-RTE85L,F

Toshiba 东芝

当前型号

当前型号

BFU520WX

恩智浦

功能相似

2SC5095-RTE85L,F和BFU520WX的区别

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