Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 150mW
RF Transistor NPN 10V 35mA 8GHz 150mW Surface Mount SC-70-3
得捷: RF TRANS NPN 10V 8GHZ SC70-3
艾睿: Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 150mW
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 10 V
增益 7.5 dB
最小电流放大倍数hFE 50 @5mA, 3V
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册