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2SA1977-A图片1

2SA1977-A概述

Trans RF BJT PNP 12V 0.05A 200mW

RF PNP 12V 50mA 8.5GHz 200mW 表面贴装型

得捷:
RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

艾睿:
Trans RF BJT PNP 12V 0.05A 200mW

2SA1977-A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 12 dB

最小电流放大倍数hFE 20 @20mA, 8V

额定功率Max 200 mW

上升时间Max 0.66 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA1977-A

型号： 2SA1977-A

制造商： California Eastern Laboratories

描述：Trans RF BJT PNP 12V 0.05A 200mW