2N3663概述
NPN晶体管RF NPN RF Transistor
RF Transistor NPN 12V 50mA 2.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
罗切斯特:
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
2N3663中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 50.0 mA
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 1.5 dB
最小电流放大倍数hFE 20 @8mA, 10V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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