2SC5336-AZ参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC5336-AZ概述

射频RF双极晶体管 NPN Silicon 6.5GHz NF 1.1dB

RF Transistor NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Surface Mount

得捷:
RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN Silicon 6.5GHz NF 1.1dB

艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 1200mW

2SC5336-AZ中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1200 mW

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 12 dB

最小电流放大倍数hFE 50 @20mA, 10V

额定功率Max 1.2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-243

外形尺寸

封装 TO-243

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SC5336-AZ

型号： 2SC5336-AZ

制造商： California Eastern Laboratories

描述：射频RF双极晶体管 NPN Silicon 6.5GHz NF 1.1dB