NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
High Voltage Transistor
• Collector-Emitter Voltage: VCEO=350V
• Collector Dissipation: PC max=625mW
• Complement to 2N6520
• Suffix “-C” means Center Collector 1. Emitter 2. Collector 3. Base
欧时:
### 高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Jameco:
3 Lead Plastic Package NPN General Purpose Amplifier 350 Volt TO-92 3 Pin
安富利:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
富昌:
2N6517 系列 350 V CE 击穿 0.5 A NPN 外延硅 晶体管 TO-92
Verical:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N6517BU Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 350 V, 200 MHz, 625 mW, 500 mA, 30 hFE
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk
Win Source:
TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
频率 200 MHz
额定电压DC 350 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 200
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 30
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N6517BU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6517CBU 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2N6517BU和2N6517CBU的区别 |
2N6517TA 安森美 | 功能相似 | 2N6517BU和2N6517TA的区别 |
MPSA42 安森美 | 功能相似 | 2N6517BU和MPSA42的区别 |