2N6517BU

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2N6517BU概述

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

High Voltage Transistor

• Collector-Emitter Voltage: VCEO=350V

• Collector Dissipation: PC max=625mW

• Complement to 2N6520

• Suffix “-C” means Center Collector 1. Emitter 2. Collector 3. Base


欧时:
### 高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial


艾睿:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Jameco:
3 Lead Plastic Package NPN General Purpose Amplifier 350 Volt TO-92 3 Pin


安富利:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


富昌:
2N6517 系列 350 V CE 击穿 0.5 A NPN 外延硅 晶体管 TO-92


Verical:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N6517BU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 350 V, 200 MHz, 625 mW, 500 mA, 30 hFE


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


Win Source:
TRANS NPN 350V 0.5A TO-92


2N6517BU中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC 350 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 200

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N6517BU
型号: 2N6517BU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号2N6517BU
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2N6517BU

Fairchild 飞兆/仙童

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2N6517CBU

飞兆/仙童

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