2SK3756TE12L,F

2SK3756TE12L,F图片1
2SK3756TE12L,F概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS

RF Mosfet N-Channel 4.5V 200mA 470MHz 12dB 32dBm SC-62


得捷:
MOSFET N-CH PW-MINI


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 7.5V 1A 4-Pin3+Tab PW-Mini T/R


Win Source:
MOSFET N-CH PW-MINI


2SK3756TE12L,F中文资料参数规格
技术参数

频率 470 MHz

额定电流 1 A

耗散功率 3 W

输出功率 32 dBm

增益 12 dB

测试电流 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -45 ℃

耗散功率Max 3000 mW

额定电压 7.5 V

封装参数

引脚数 4

封装 PW-Mini-3

外形尺寸

封装 PW-Mini-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SK3756TE12L,F
型号: 2SK3756TE12L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台