2SK3557-7-TB-E

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2SK3557-7-TB-E概述

ON SEMICONDUCTOR  2SK3557-7-TB-E  晶体管, 射频FET, 15 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP


欧时:
ON Semiconductor 2SK3557-7-TB-E N通道 JFET 晶体管, Vds=15 V, Idss: 16 → 32mA, 3引脚 CP封装


立创商城:
N 沟道 JFET,15V,10 至 32mA,35mS,CP


艾睿:
Are you looking for a device with a high input electrical resistance? ON Semiconductor brings you their 2SK3557-7-TB-E JFET transistor. Its maximum power dissipation is 200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This junction field effect transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.


Allied Electronics:
2SK3557-7-TB-E N-channel JFET Transistor; 15 V; Idss 16 - 32mA; 3-Pin CP


安富利:
Trans JFET N-CH 15V 50mA 3-Pin CP T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin CP T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si Automotive 3-Pin Case CP T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  2SK3557-7-TB-E  RF FET Transistor, 15 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23


罗切斯特:
Trans JFET N-CH 15V 50mA Si 3-Pin CP T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 15V 50MA 3CP


Win Source:
JFET N-CH 15V 50MA SOT23


2SK3557-7-TB-E中文资料参数规格
技术参数

频率 1 kHz

额定电流 50 mA

击穿电压 15.0 V

针脚数 3

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 15 V

测试电流 1 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 15 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 AM tuner RF amplifi cation, Low noise amplifier

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

2SK3557-7-TB-E引脚图与封装图
2SK3557-7-TB-E引脚图
2SK3557-7-TB-E封装焊盘图
在线购买2SK3557-7-TB-E
型号: 2SK3557-7-TB-E
描述:ON SEMICONDUCTOR  2SK3557-7-TB-E  晶体管, 射频FET, 15 V, 50 mA, 200 mW, SOT-23
替代型号2SK3557-7-TB-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SK3557-7-TB-E

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