2N3906-G参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N3906-G概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT -40V -200mA TO-92

Bipolar BJT Transistor PNP 40V 200mA 250MHz Through Hole TO-92

得捷:
TRANS PNP 40V 0.2A TO92

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT -40V -200mA TO-92

艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag

Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 625mW 3-Pin TO-92 Bag

Win Source:
TRANS PNP 40V 0.2A TO92

2N3906-G中文资料参数规格

技术参数

频率 250 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 30 @100mA, 1V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2N3906-G

型号： 2N3906-G

制造商： Comchip Technology 上华科技

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT -40V -200mA TO-92