2N5551TF

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2N5551TF概述

NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

Description

This device is designed for general-purpose high-voltage amplifiers and gas discharge display drivers.


得捷:
2N5551 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TR


艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R


Win Source:
TRANS NPN 160V 0.6A TO-92


2N5551TF中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 160 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5551TF
型号: 2N5551TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号2N5551TF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N5551TF

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

2N5551RLRPG

安森美

完全替代

2N5551TF和2N5551RLRPG的区别

2N5551TFR

飞兆/仙童

完全替代

2N5551TF和2N5551TFR的区别

2N5551TA

飞兆/仙童

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