2N5953

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2N5953中文资料参数规格
技术参数

频率 1 kHz

额定电压DC 3.00 V

额定电流 5 mA

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

漏源极电压Vds 30.0 V

栅源击穿电压 30.0 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

额定电压 30 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5953
型号: 2N5953
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 NCh RF Transistor
替代型号2N5953
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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