2N5485_D27Z

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2N5485_D27Z中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电压DC 25.0 V

额定电流 10 mA

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

输入电容 5.00 pF

漏源极电压Vds 25.0 V

连续漏极电流Ids 7.00 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

额定电压 25 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5485_D27Z
型号: 2N5485_D27Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 NCh RF Transistor

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