25LC256-I/SM

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25LC256-I/SM概述

25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流:6 mA(典型) 待机电流:1 μA(典型) 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip

25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROM

的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。

使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。

### 特点

最大时钟 10 MHz

最大写入电流 5 mA

读取电流:6 mA(典型)

待机电流:1 μA(典型)

32,768 x 8 位组织

64 字节页面

自定时擦除和写入周期,5ms(最大)

块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列

内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚

顺序读取

耐受性:>1M 擦除/写入周期

数据保留:>200 年

ESD 保护:>4000V

25LC256-I/SM中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

工作电压 2.5V ~ 5.5V

供电电流 6 mA

时钟频率 10 MHz

存取时间 5 ms

内存容量 32000 B

存取时间Max 50 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5.26 mm

宽度 5.24 mm

高度 1.98 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

25LC256-I/SM引脚图与封装图
25LC256-I/SM引脚图
25LC256-I/SM封装图
25LC256-I/SM封装焊盘图
在线购买25LC256-I/SM
型号: 25LC256-I/SM
制造商: Microchip 微芯
描述:25AA256/25LC256 SPI 串行 EEPROM Microchip 的 25AA256/25LC256 系列设备为 256K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过“保持”引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。 ### 特点 最大时钟 10 MHz 最大写入电流 5 mA 读取电流:6 mA(典型) 待机电流:1 μA(典型) 32,768 x 8 位组织 64 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
替代型号25LC256-I/SM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

25LC256-I/SM

Microchip 微芯

当前型号

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