2N5951参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N5951中文资料参数规格

技术参数

频率 1 kHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 13 mA

击穿电压 -30.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

栅源击穿电压 30.0 V

击穿电压 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

额定电压 30 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5951

型号： 2N5951

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N5951 晶体管, JFET, JFET, 30 V, 7 mA, 13 mA, 5 V, TO-92, JFET

替代型号2N5951

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
2N5951 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
2N5951LEADFREE Central Semiconductor	功能相似	2N5951和2N5951LEADFREE的区别
2N5951TRE Central Semiconductor	功能相似	2N5951和2N5951TRE的区别
2N5951TRELEADFREE Central Semiconductor	功能相似	2N5951和2N5951TRELEADFREE的区别