24AA32AFT-I/MNY

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24AA32AFT-I/MNY概述

24AA32AF/24LC32AF I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA32AF/24LC32AF 系列设备为 32K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源,工作电压低至 1.7V(用于 24AA32AF 设备)、2.5V(用于 24LC32AF 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 400μA(最大)、待机电流 1μA(最大) 2 线串行接口,I2C® 兼容 封装带有 3 个地址引脚,最多可级联八个设备 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 5ms(最大) 自定时擦除/写入周期 32 位页面写入缓冲器 硬件写入保护,用于 1/4 阵列 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip

24AA32AF/24LC32AF I²C™ 串行 EEPROM

的 24AA32AF/24LC32AF 系列设备为 32K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。

### 特点

单电源,工作电压低至 1.7V(用于 24AA32AF 设备)、2.5V(用于 24LC32AF 设备)

低功率 CMOS 技术:读取电流 400μA(最大)、待机电流 1μA(最大)

2 线串行接口,I2C® 兼容

封装带有 3 个地址引脚,最多可级联八个设备

Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制

输出斜率控制,用于消除地面颤动

100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性

页面写入时间 5ms(最大)

自定时擦除/写入周期

32 位页面写入缓冲器

硬件写入保护,用于 1/4 阵列

ESD 保护 >4,000V

超过 100 万个擦除/写入周期

数据保留 >200 年

### EEPROM 串行存取 - Microchip

24AA32AFT-I/MNY中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 400 kHz

存取时间 900 ns

存取时间Max 3500 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDFN-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 TDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

24AA32AFT-I/MNY引脚图与封装图
24AA32AFT-I/MNY引脚图
24AA32AFT-I/MNY封装图
24AA32AFT-I/MNY封装焊盘图
在线购买24AA32AFT-I/MNY
型号: 24AA32AFT-I/MNY
制造商: Microchip 微芯
描述:24AA32AF/24LC32AF I²C™ 串行 EEPROM Microchip 的 24AA32AF/24LC32AF 系列设备为 32K 位 I²C™ 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 ### 特点 单电源,工作电压低至 1.7V(用于 24AA32AF 设备)、2.5V(用于 24LC32AF 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 400μA(最大)、待机电流 1μA(最大) 2 线串行接口,I2C® 兼容 封装带有 3 个地址引脚,最多可级联八个设备 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 5ms(最大) 自定时擦除/写入周期 32 位页面写入缓冲器 硬件写入保护,用于 1/4 阵列 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
替代型号24AA32AFT-I/MNY
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

24AA32AFT-I/MNY

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

24AA32AT-I/SN

微芯

功能相似

24AA32AFT-I/MNY和24AA32AT-I/SN的区别

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