













FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N6520TA 单晶体管 双极, PNP, -350 V, 200 MHz, 625 mW, 20 hFE
The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor offers 625mW maximum collector dissipation and -500mA collector current.
得捷:
TRANS PNP 350V 0.5A TO92-3
欧时:
### 高电压 PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
艾睿:
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
安富利:
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
富昌:
2N6520 系列 350 V CE 击穿 0.5 A PNP 外延硅 晶体管 TO-92
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
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Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N6520TA Small Signal Diode, PNP, -350 V, 200 MHz, 625 mW, 20
罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Win Source:
TRANS PNP 350V 0.5A TO-92
频率 200 MHz
额定电压DC -350 V
额定电流 -500 mA
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N6520TA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6520RLRA 安森美 | 类似代替 | 2N6520TA和2N6520RLRA的区别 |
2N6520BU 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2N6520TA和2N6520BU的区别 |
2N6520-AP 美微科 | 类似代替 | 2N6520TA和2N6520-AP的区别 |