2N6520TA

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2N6520TA概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N6520TA  单晶体管 双极, PNP, -350 V, 200 MHz, 625 mW, 20 hFE

The is a PNP Epitaxial Silicon Transistor offers 625mW maximum collector dissipation and -500mA collector current.

.
High voltage transistor
.
Complement to 2N6527

得捷:
TRANS PNP 350V 0.5A TO92-3


欧时:
### 高电压 PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo


安富利:
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo


富昌:
2N6520 系列 350 V CE 击穿 0.5 A PNP 外延硅 晶体管 TO-92


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo


Verical:
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N6520TA  Small Signal Diode, PNP, -350 V, 200 MHz, 625 mW, 20


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo


Win Source:
TRANS PNP 350V 0.5A TO-92


2N6520TA中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -350 V

额定电流 -500 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 20

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N6520TA
型号: 2N6520TA
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  2N6520TA  单晶体管 双极, PNP, -350 V, 200 MHz, 625 mW, 20 hFE
替代型号2N6520TA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N6520TA

Fairchild 飞兆/仙童

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