NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
Bipolar BJT Transistor NPN 50V 100mA 30MHz 625mW Through Hole TO-92-3
欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,40V 至 50V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
得捷:
TRANS NPN 50V 0.1A TO92-3
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
富昌:
2N5210 系列 50 V CE 击穿 0.1 A NPN 通用 放大器 - TO-92
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R
频率 30 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @100µA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -50 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
2N5210TFR Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N5210TAR 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5210TFR和2N5210TAR的区别 |
2N5210NMBU 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N5210TFR和2N5210NMBU的区别 |
2N5210BU 飞兆/仙童 | 类似代替 | 2N5210TFR和2N5210BU的区别 |