24LC64-E/SN

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24LC64-E/SN概述

24AA64/24FC64/24LC64 I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24AA64/24FC64/24LC64 系列设备 64 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。### 特点单电源,操作降低至 1.7V(24AA64/24FC64 设备),2.5V(24LC64 设备) 低功率 CMOS 技术:最大有源电流 3 mA,最大待机电流 1μA 2 线串行接口,I2C™ 兼容 采用 3 地址引脚封装,可级联多达 8 台设备 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 1 MHz 时钟,用于 24FC64 型号 页面写入时间 5 ms(最大) 自定时擦除/写入周期 32 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年

24AA64/24FC64/24LC64 I²C™ 串行 EEPROM

24AA64/24FC64/24LC64 系列设备 64 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。

### 特点

单电源,操作降低至 1.7V(24AA64/24FC64 设备),2.5V(24LC64 设备)

低功率 CMOS 技术:最大有源电流 3 mA,最大待机电流 1μA

2 线串行接口,I2C™ 兼容

采用 3 地址引脚封装,可级联多达 8 台设备

Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制

输出斜率控制,用于消除地面颤动

100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性

1 MHz 时钟,用于 24FC64 型号

页面写入时间 5 ms(最大)

自定时擦除/写入周期

32 字节页面写入缓冲器

硬件写入保护

ESD 保护 >4,000V

超过 100 万个擦除/写入周期

数据保留 >200 年

24LC64-E/SN中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

供电电流 3 mA

时钟频率 400 kHz

存取时间 900 ns

内存容量 8000 B

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

24LC64-E/SN引脚图与封装图
24LC64-E/SN引脚图
24LC64-E/SN封装图
24LC64-E/SN封装焊盘图
在线购买24LC64-E/SN
型号: 24LC64-E/SN
制造商: Microchip 微芯
描述:24AA64/24FC64/24LC64 I²C™ 串行 EEPROM Microchip 24AA64/24FC64/24LC64 系列设备 64 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。 ### 特点 单电源,操作降低至 1.7V(24AA64/24FC64 设备),2.5V(24LC64 设备) 低功率 CMOS 技术:最大有源电流 3 mA,最大待机电流 1μA 2 线串行接口,I2C™ 兼容 采用 3 地址引脚封装,可级联多达 8 台设备 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 1 MHz 时钟,用于 24FC64 型号 页面写入时间 5 ms(最大) 自定时擦除/写入周期 32 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年
替代型号24LC64-E/SN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

24LC64-E/SN

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

24LC64-I/SN

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