FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N6517TA 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 200 MHz, 625 mW, 20 hFE
The is a NPN Epitaxial Silicon Transistor offers 625mW maximum collector dissipation and 500mA collector current.
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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Si Transistor Epitaxial
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Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
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2N6517 Series 350 V 500 mA NPN Through Hole Epitaxial Silicon Transistor-TO-92-3
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Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N6517TA Small Signal Diode, NPN, 400 V, 200 MHz, 625 mW, 20
Win Source:
TRANS NPN 350V 0.5A TO-92
频率 200 MHz
额定电压DC 350 V
额定电流 500 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 350 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20 @50mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 200
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 20
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 4.58 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N6517TA Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6517CTA 飞兆/仙童 | 完全替代 | 2N6517TA和2N6517CTA的区别 |
2N6517RLRAG 安森美 | 类似代替 | 2N6517TA和2N6517RLRAG的区别 |