ON SEMICONDUCTOR 2N5089G 射频双极晶体管
- 双极 BJT - 单 NPN 50MHz 通孔 TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 25V 0.05A TO92
e络盟:
射频双极晶体管
艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Box
Verical:
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 625mW 3-Pin TO-92 Box
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
Win Source:
TRANS NPN 25V 0.05A TO92
频率 50 MHz
额定电压DC 25.0 V
额定电流 50.0 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.05A
最小电流放大倍数hFE 400 @100µA, 5V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N5089G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT3906LT1G 安森美 | 功能相似 | 2N5089G和MMBT3906LT1G的区别 |
MMBT3904LT1G 安森美 | 功能相似 | 2N5089G和MMBT3904LT1G的区别 |
MMBT3904LT3G 安森美 | 功能相似 | 2N5089G和MMBT3904LT3G的区别 |