25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROMMicrochip 的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。 使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过保持引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。### 特点最大写入电流 3 mA 读取电流:500 μA(典型) 待机电流:500 nA(典型) 1024 x 8 位组织 16 字节页面 自定时擦除和写入周期,5ms(最大) 块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列 内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚 顺序读取 耐受性:>1M 擦除/写入周期 数据保留:>200 年 ESD 保护:>4000V ### EEPROM 串行存取 - Microchip
25AA080/25C080/25LC080 SPI 串行 EEPROM
的 25AA080/25C080/25LC080 系列设备为 8K 位 SPI 串行 EEPROM,提供各种封装、温度和电源型号。
使用串行外设接口 SPI 提供所需的时钟输入 SCK、数据 SI 和数据输出 SO 信号。 这些设备的操作可通过保持引脚 HOLD 暂停,从而导致输入被忽略,通过芯片选择 CS 定义的更高优先级中断除外。
### 特点
最大写入电流 3 mA
读取电流:500 μA(典型)
待机电流:500 nA(典型)
1024 x 8 位组织
16 字节页面
自定时擦除和写入周期,5ms(最大)
块写入保护:保护零个、1/4 个、1/2 个或所有阵列
内置写保护:电源开/关数据保护电路、写入启用闩锁、写保护引脚
顺序读取
耐受性:>1M 擦除/写入周期
数据保留:>200 年
ESD 保护:>4000V
### EEPROM 串行存取 - Microchip
频率 2 MHz
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 5 mA
时钟频率 2 MHz
存取时间 2.00 µs
内存容量 1000 B
存取时间Max 230 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.25 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
25LC080-I/SN Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
25LC080T-I/SN 微芯 | 类似代替 | 25LC080-I/SN和25LC080T-I/SN的区别 |