24AA024H/24LC024H I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA024H/24LC024H 系列设备为 2K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源，工作电压低至 1.7V - 仅限 24LC024 型号 低功率 CMOS 技术：最大 400 μA 有源电流，1 μA 最大待机电流 可组成单块 256 字节 256 x 8 2 线串行接口总线，兼容 I2C™ Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 兼容性 1 MHz 兼容性 LC 页面写入缓冲器，用于高达 16 字节 自定时写入周期（包括自动擦除） 硬件写入保护，用于半阵列 地址行允许总线上多达八个设备 1 百万次擦除/写入周期 ESD 保护 > 4,000V 数据保留 > 200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
24AA024H/24LC024H I²C™ 串行 EEPROM
的 24AA024H/24LC024H 系列设备为 2K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。
### 特点
单电源，工作电压低至 1.7V - 仅限 24LC024 型号
低功率 CMOS 技术：最大 400 μA 有源电流，1 μA 最大待机电流
可组成单块 256 字节 256 x 8
2 线串行接口总线，兼容 I2C™
Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制
输出斜率控制，用于消除地面颤动
100 kHz 和 400 kHz 兼容性
1 MHz 兼容性 LC
页面写入缓冲器，用于高达 16 字节
自定时写入周期（包括自动擦除）
硬件写入保护，用于半阵列
地址行允许总线上多达八个设备
1 百万次擦除/写入周期
ESD 保护 > 4,000V
数据保留 > 200 年
工作电压 1.7V ~ 5.5V
时钟频率 400 kHz
存取时间 900 ns
存取时间Max 900 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDFN-8
长度 3 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 TDFN-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
24AA024HT-I/MNY Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
24LC024HT-E/MNY 微芯 | 类似代替 | 24AA024HT-I/MNY和24LC024HT-E/MNY的区别 |
24LC024HT-I/MNY 微芯 | 类似代替 | 24AA024HT-I/MNY和24LC024HT-I/MNY的区别 |
AT24C02D-STUM-T 微芯 | 功能相似 | 24AA024HT-I/MNY和AT24C02D-STUM-T的区别 |