24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA04 设备）、2.5V（用于 24LC04B 设备） 低功率 CMOS 技术：读取电流 1 mA（典型）、待机电流 1uA（典型） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地弹效应 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3ms（典型） 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
24AA04/24LC04B I²C™ 串行 EEPROM
的 24AA04/24LC04B 系列设备为 4K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。
### 特点
单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA04 设备）、2.5V（用于 24LC04B 设备）
低功率 CMOS 技术：读取电流 1 mA（典型）、待机电流 1uA（典型）
2 线串行接口，I2C® 兼容
Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制
输出斜率控制，用于消除地弹效应
100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性
页面写入时间 3ms（典型）
自定时擦除/写入周期
16 字节页面写入缓冲器
硬件写入保护
ESD 保护 >4,000V
超过 100 万个擦除/写入周期
数据保留 >200 年
频率 0.4 MHz
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 3 mA
时钟频率 400kHz max
存取时间 900 ns
内存容量 4000 B
存取时间Max 900 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 1.8 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
24AA04/SN Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
24AA04-I/SN 微芯 | 类似代替 | 24AA04/SN和24AA04-I/SN的区别 |
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