24AA02T-I/MNY

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24AA02T-I/MNY概述

24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。### 特点单电源,操作降低至 1.7V(24AA02 设备),2.5V(24LC02B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(最大),待机电流 1 μA(最大) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3 ms(典型) 自定时擦除/写入周期 8 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip

24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROM

24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。

### 特点

单电源,操作降低至 1.7V(24AA02 设备),2.5V(24LC02B 设备)

低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(最大),待机电流 1 μA(最大)

2 线串行接口,I2C® 兼容

Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制

输出斜率控制,用于消除地面颤动

100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性

页面写入时间 3 ms(典型)

自定时擦除/写入周期

8 字节页面写入缓冲器

硬件写入保护

ESD 保护 >4,000V

超过 100 万个擦除/写入周期

数据保留 >200 年

24AA02T-I/MNY中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

供电电流 3 mA

时钟频率 400 kHz

存取时间 900 ns

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDFN-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 2 mm

高度 0.75 mm

封装 TDFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

24AA02T-I/MNY引脚图与封装图
24AA02T-I/MNY引脚图
24AA02T-I/MNY封装图
24AA02T-I/MNY封装焊盘图
在线购买24AA02T-I/MNY
型号: 24AA02T-I/MNY
制造商: Microchip 微芯
描述:24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROM Microchip 24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。 ### 特点 单电源,操作降低至 1.7V(24AA02 设备),2.5V(24LC02B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(最大),待机电流 1 μA(最大) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3 ms(典型) 自定时擦除/写入周期 8 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
替代型号24AA02T-I/MNY
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

24AA02T-I/MNY

Microchip 微芯

当前型号

当前型号

24AA02HT-I/MNY

微芯

完全替代

24AA02T-I/MNY和24AA02HT-I/MNY的区别

24AA02T-I/MC

微芯

功能相似

24AA02T-I/MNY和24AA02T-I/MC的区别

24AA02-I/MNY

微芯

功能相似

24AA02T-I/MNY和24AA02-I/MNY的区别

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