24AA32A/24LC32A I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 的 24AA32A/24LC32A 系列设备为 32K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。### 特点单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA32A 设备）、2.5 V（用于 24LC32A 设备） 低功率 CMOS 技术：有源电流 1mA（典型）、待机电流 1μA（典型） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 5 ms 最大 自定时擦除/写入周期 32 位页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
24AA32A/24LC32A I²C™ 串行 EEPROM
的 24AA32A/24LC32A 系列设备为 32K 位 I²C™ 串行 EEPROM，提供各种封装、温度和电源型号。
### 特点
单电源，工作电压低至 1.7V（用于 24AA32A 设备）、2.5 V（用于 24LC32A 设备）
低功率 CMOS 技术：有源电流 1mA（典型）、待机电流 1μA（典型）
2 线串行接口，I2C® 兼容
Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制
输出斜率控制，用于消除地面颤动
100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性
页面写入时间 5 ms 最大
自定时擦除/写入周期
32 位页面写入缓冲器
硬件写入保护
ESD 保护 >4,000V
超过 100 万个擦除/写入周期
数据保留 >200 年
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
工作电压 1.7V ~ 5.5V
时钟频率 400 kHz
存取时间 900 ns
内存容量 32000 B
存取时间Max 3500 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.8V ~ 5.5V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5.26 mm
宽度 5.24 mm
高度 1.98 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
24AA32A-I/SM Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
AT24C32W-10SI-1.8 微芯 | 完全替代 | 24AA32A-I/SM和AT24C32W-10SI-1.8的区别 |
AT24C32AW-10SU-1.8 微芯 | 完全替代 | 24AA32A-I/SM和AT24C32AW-10SU-1.8的区别 |
AT24C32W-10SC-1.8 微芯 | 完全替代 | 24AA32A-I/SM和AT24C32W-10SC-1.8的区别 |