24C01C-I/SN

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24C01C-I/SN概述

24C01C I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片,按照单块 128 x 8 字节内存组织,并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。### 特点单电源,工作电压为 4.5V 至 5.5V 低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA,待机电流 5 μA(两者均为最大值) 2 线串行接口,I2C® 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 最大页面写入时间为 1 ms 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip

24C01C I²C™ 串行 EEPROM

24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片,按照单块 128 x 8 字节内存组织,并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。

### 特点

单电源,工作电压为 4.5V 至 5.5V

低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA,待机电流 5 μA(两者均为最大值)

2 线串行接口,I2C® 兼容

级联多达八台设备

Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制

输出斜率控制,用于消除地面颤动

100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性

最大页面写入时间为 1 ms

自定时擦除/写入周期

16 字节页面写入缓冲器

超过 100 万个擦除/写入周期

数据保留 >200 年

24C01C-I/SN中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

电源电压DC 5.00 V, 5.00 V max

工作电压 4.5V ~ 5.5V

供电电流 3 mA

时钟频率 400 kHz

存取时间 900 ns

内存容量 125 B

输入电容 10 pF

上升时间 300 ns

下降时间 300 ns

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

24C01C-I/SN引脚图与封装图
24C01C-I/SN引脚图
24C01C-I/SN封装图
24C01C-I/SN封装焊盘图
在线购买24C01C-I/SN
型号: 24C01C-I/SN
制造商: Microchip 微芯
描述:24C01C I²C™ 串行 EEPROM Microchip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片,按照单块 128 x 8 字节内存组织,并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。 ### 特点 单电源,工作电压为 4.5V 至 5.5V 低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA,待机电流 5 μA(两者均为最大值) 2 线串行接口,I2C® 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 最大页面写入时间为 1 ms 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
替代型号24C01C-I/SN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

24C01C-I/SN

Microchip 微芯

当前型号

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24C01CT-I/SN

微芯

类似代替

24C01C-I/SN和24C01CT-I/SN的区别

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