24LC02B-E/P

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24LC02B-E/P概述

24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。### 特点单电源,操作降低至 1.7V(24AA02 设备),2.5V(24LC02B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(最大),待机电流 1 μA(最大) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3 ms(典型) 自定时擦除/写入周期 8 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip

24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROM

24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。

### 特点

单电源,操作降低至 1.7V(24AA02 设备),2.5V(24LC02B 设备)

低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(最大),待机电流 1 μA(最大)

2 线串行接口,I2C® 兼容

Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制

输出斜率控制,用于消除地面颤动

100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性

页面写入时间 3 ms(典型)

自定时擦除/写入周期

8 字节页面写入缓冲器

硬件写入保护

ESD 保护 >4,000V

超过 100 万个擦除/写入周期

数据保留 >200 年

24LC02B-E/P中文资料参数规格
技术参数

频率 0.4 MHz

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

供电电流 3 mA

时钟频率 400kHz max

存取时间 900 ns

内存容量 2000 B

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 2.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

长度 10.16 mm

宽度 0.28 in

高度 4.95 mm

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

24LC02B-E/P引脚图与封装图
24LC02B-E/P引脚图
24LC02B-E/P封装图
24LC02B-E/P封装焊盘图
在线购买24LC02B-E/P
型号: 24LC02B-E/P
制造商: Microchip 微芯
描述:24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROM Microchip 24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。 ### 特点 单电源,操作降低至 1.7V(24AA02 设备),2.5V(24LC02B 设备) 低功率 CMOS 技术:读取电流 1 mA(最大),待机电流 1 μA(最大) 2 线串行接口,I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入,用于噪音抑制 输出斜率控制,用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3 ms(典型) 自定时擦除/写入周期 8 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip

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