24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROMMicrochip 24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。### 特点单电源，操作降低至 1.7V（24AA02 设备），2.5V（24LC02B 设备） 低功率 CMOS 技术：读取电流 1 mA（最大），待机电流 1 μA（最大） 2 线串行接口，I2C® 兼容 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 页面写入时间 3 ms（典型） 自定时擦除/写入周期 8 字节页面写入缓冲器 硬件写入保护 ESD 保护 >4,000V 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
24AA02/24LC02B I²C™ 串行 EEPROM
24AA02/24LC02B 系列设备 2 Kbit I²C™ 串行 EEPROM 提供各种封装、温度和电源变型。
### 特点
单电源，操作降低至 1.7V（24AA02 设备），2.5V（24LC02B 设备）
低功率 CMOS 技术：读取电流 1 mA（最大），待机电流 1 μA（最大）
2 线串行接口，I2C® 兼容
Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制
输出斜率控制，用于消除地面颤动
100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性
页面写入时间 3 ms（典型）
自定时擦除/写入周期
8 字节页面写入缓冲器
硬件写入保护
ESD 保护 >4,000V
超过 100 万个擦除/写入周期
数据保留 >200 年
频率 0.4 MHz
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 3 mA
针脚数 8
时钟频率 400 kHz
存取时间 900 ns
内存容量 250 B
存取时间Max 900 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 2.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
24LC02BT-I/SN Microchip 微芯 | 当前型号 | 当前型号 |
24LC02B-I/SN 微芯 | 完全替代 | 24LC02BT-I/SN和24LC02B-I/SN的区别 |
24LC02B-I/P 微芯 | 完全替代 | 24LC02BT-I/SN和24LC02B-I/P的区别 |
24LC024-I/SN 微芯 | 完全替代 | 24LC02BT-I/SN和24LC024-I/SN的区别 |