2N7002KW参数规格_中文资料_数据手册PDF

2N7002KW概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002KW 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 1.6 ohm, 10 V, 2.1 V

The is a N-channel enhancement-mode FET with low ON-resistance and low gate threshold voltage.

2N7002KW中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.6 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 mW

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.2 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

2N7002KW引脚图与封装图

在线购买2N7002KW

型号： 2N7002KW

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002KW 晶体管, MOSFET, N沟道, 310 mA, 60 V, 1.6 ohm, 10 V, 2.1 V

替代型号2N7002KW