2SC4738-BLTE85L,F参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SC4738-BLTE85L,F概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans

Bipolar BJT Transistor NPN 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount SSM

得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A SSM

贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans

艾睿:
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE PCT PROCESS

Win Source:
TRANS NPN 50V 0.15A SSM

2SC4738-BLTE85L,F中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 350 @2mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 700

额定功率Max 100 mW

耗散功率Max 100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-416-3

外形尺寸

封装 SOT-416-3

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

2SC4738-BLTE85L,F引脚图与封装图

在线购买2SC4738-BLTE85L,F

型号： 2SC4738-BLTE85L,F

制造商： Toshiba 东芝

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans