2N6517CBU

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2N6517CBU概述

Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3Pin TO-92 Bulk

High Voltage Transistor

• Collector-Emitter Voltage: VCEO=350V

• Collector Dissipation: PC max=625mW

• Complement to 2N6520

• Suffix “-C” means Center Collector 1. Emitter 2. Collector 3. Base


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN/350V/625mA


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3-Pin TO-92 Bulk


2N6517CBU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 30

最大电流放大倍数hFE 200

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N6517CBU
型号: 2N6517CBU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans GP BJT NPN 400V 0.5A 3Pin TO-92 Bulk
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