FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7002T 晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 1.6 ohm, 5 V, 1.76 V
The is a N-channel enhancement-mode FET with low ON-resistance and low gate threshold voltage.
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- Low input capacitance
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- Fast switching speed
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- Low input/output leakage
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- Ultra-small surface-mount package
针脚数 3
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
阈值电压 1.76 V
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 50pF @25VVds
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-523-3
长度 1.7 mm
宽度 0.98 mm
高度 0.78 mm
封装 SOT-523-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N7002T Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS123-7-F 美台 | 功能相似 | 2N7002T和BSS123-7-F的区别 |
2SK3019TL 罗姆半导体 | 功能相似 | 2N7002T和2SK3019TL的区别 |
2N7002K-7 美台 | 功能相似 | 2N7002T和2N7002K-7的区别 |