2SC2812N6-TB-E概述
SC-59 NPN 50V 0.15A
Bipolar BJT Transistor NPN 50V 150mA 100MHz 200mW Surface Mount 3-CP
得捷:
TRANS NPN 50V 0.15A 3CP
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 0.15A 50V
艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 3-Pin SC-59 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 3-Pin SC-59 T/R
Win Source:
TRANS NPN 50V 0.15A CP
2SC2812N6-TB-E中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 200 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 0.15A
最小电流放大倍数hFE 135 @1mA, 6V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买2SC2812N6-TB-E