2SA1179N6-CPA-TB-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

2SA1179N6-CPA-TB-E概述

双极晶体管 - 预偏置 BIP PNP 0.15A 50V

Bipolar BJT Transistor PNP 50V 150mA 180MHz 200mW Surface Mount

得捷:
TRANS PNP 50V 0.15A

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 BIP PNP 0.15A 50V

艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
TRANS PNP 50V 0.15A CP

2SA1179N6-CPA-TB-E中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.15A

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 6V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SA1179N6-CPA-TB-E

型号： 2SA1179N6-CPA-TB-E

描述：双极晶体管 - 预偏置 BIP PNP 0.15A 50V