2N7000_D75Z

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2N7000_D75Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 200 mA

通道数 1

漏源极电阻 1.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 0.4 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 200 mA

输入电容Ciss 50pF @25VVds

额定功率Max 400 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N7000_D75Z
型号: 2N7000_D75Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3Pin TO-92 Ammo
替代型号2N7000_D75Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N7000_D75Z

Fairchild 飞兆/仙童

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