ON SEMICONDUCTOR 2N5551RLRAG 双极性晶体管
- 双极 BJT - 单 NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92(TO-226)
得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92
欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 180V NPN
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR 2N5551RLRAG 双极性晶体管
艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Allied Electronics:
ON Semi 2N5551RLRAG NPN Bipolar Transistor, 0.6 A, 160 V, 3-Pin TO-92
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Win Source:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92
频率 300 MHz
额定电压DC 160 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2N5551RLRAG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
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2N5551RLRA 安森美 | 完全替代 | 2N5551RLRAG和2N5551RLRA的区别 |