2N5551RLRAG

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2N5551RLRAG概述

ON SEMICONDUCTOR  2N5551RLRAG  双极性晶体管

- 双极 BJT - 单 NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW 通孔 TO-92(TO-226)


得捷:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92


欧时:
### 通用 NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 180V NPN


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  2N5551RLRAG  双极性晶体管


艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R


Allied Electronics:
ON Semi 2N5551RLRAG NPN Bipolar Transistor, 0.6 A, 160 V, 3-Pin TO-92


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R


Win Source:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92


2N5551RLRAG中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 160 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

耗散功率 0.625 W

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5551RLRAG
型号: 2N5551RLRAG
描述:ON SEMICONDUCTOR  2N5551RLRAG  双极性晶体管
替代型号2N5551RLRAG
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2N5551RLRAG

ON Semiconductor 安森美

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当前型号

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安森美

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2N5551RLRAG和2N5551RLRPG的区别

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飞兆/仙童

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2N5551RLRAG和2N5551TF的区别

2N5551RLRA

安森美

完全替代

2N5551RLRAG和2N5551RLRA的区别

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