达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon
- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 40 V 500 mA - 625 mW 通孔 TO-92-3
得捷:
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO92
贸泽:
Darlington Transistors 500mA 50V NPN
艾睿:
Trans Darlington NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 40V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Win Source:
TRANS NPN DARL 40V 0.5A TO-92
额定电压DC 40.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 30000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2N6426RLRAG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2N6426RLRA 安森美 | 完全替代 | 2N6426RLRAG和2N6426RLRA的区别 |