23K640-I/SN

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23K640-I/SN概述

MICROCHIP  23K640-I/SN  芯片, SRAM, 串口, 64K, 2.7V, SOIC8

静态 RAM,

### SRAM(静态随机存取存储器)


得捷:
IC SRAM 64KBIT SPI 20MHZ 8SOIC


欧时:
Microchip 23K640-I/SN, 64kbit SRAM 内存, 8192 个字 x 8 位, 20MHz, 2.7 → 3.6 V, 8针 SOIC封装


立创商城:
23K640-I/SN


贸泽:
静态随机存取存储器 64K 8K X 8 2.7V SERIAL 静态随机存取存储器 IND


e络盟:
SRAM, 64 Kbit, 8K x 8位, 2.7V 至 3.6V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 64K-Bit 8K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube


Allied Electronics:
Microchip 23K640-I/SN SRAM Memory, 64kbit, 2.7 - 3.6 V, 25ns 8-Pin SOIC


安富利:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 64K-Bit 8K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube


Chip1Stop:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 64K-Bit 8K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube


TME:
Memory; SRAM; 8kx8bit; 2.7÷3.6V; 16MHz; SO8; Interface: SPI


Verical:
SRAM Chip Sync Single 3.3V 64K-bit 8K x 8 25ns 8-Pin SOIC N Tube


Newark:
# MICROCHIP  23K640-I/SN  IC, SRAM, SERIAL, 64K, 2.7V, SOIC8


23K640-I/SN中文资料参数规格
技术参数

频率 20 MHz

电源电压DC 2.70V min

工作电压 2.7V ~ 3.6V

针脚数 8

时钟频率 20 MHz

位数 8

内存容量 8000 B

存取时间Max 25 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.25 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 计量, Communications & Networking, Wireless, 音频, Metering, 车用, 通信与网络, Automotive, Audio, 无线

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

23K640-I/SN引脚图与封装图
23K640-I/SN引脚图
23K640-I/SN封装图
23K640-I/SN封装焊盘图
在线购买23K640-I/SN
型号: 23K640-I/SN
制造商: Microchip 微芯
描述:MICROCHIP  23K640-I/SN  芯片, SRAM, 串口, 64K, 2.7V, SOIC8
替代型号23K640-I/SN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

23K640-I/SN

Microchip 微芯

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完全替代

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