2N5172_D75Z

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2N5172_D75Z中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 500

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买2N5172_D75Z
型号: 2N5172_D75Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Transistor General Purpose

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