2N7000RLRAG

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2N7000RLRAG概述

N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

N 通道功率 MOSFET,60V,

### MOSFET ,ON Semiconductor


得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3


欧时:
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2N7000RLRAG, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装


艾睿:
This 2N7000RLRAG power MOSFET from ON Semiconductor can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 350 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Allied Electronics:
MOSFET; N-Ch; VDSS 60VDC; RDSON 5 Ohms; ID 200mA; TO-92 TO-226; PD 350mW; -55degc


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin TO-92 T/R


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R


力源芯城:
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92


2N7000RLRAG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 200 mA

通道数 1

漏源极电阻 5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 350 mW

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 200 mA

输入电容Ciss 60pF @25VVds

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350mW Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

2N7000RLRAG引脚图与封装图
2N7000RLRAG引脚图
2N7000RLRAG封装图
2N7000RLRAG封装焊盘图
在线购买2N7000RLRAG
型号: 2N7000RLRAG
描述:N 通道功率 MOSFET,60V,ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor
替代型号2N7000RLRAG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2N7000RLRAG

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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