2PD2150,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

2PD2150,115概述

SOT-89 NPN 20V 3A

Bipolar BJT Transistor NPN 20 V 3 A 220MHz 2 W Surface Mount SOT-89

得捷:
NEXPERIA 2PD2150 - POWER BIPOLAR

艾睿:
Trans GP BJT NPN 20V 3A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R

DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 20V 3.0A SOT89

2PD2150,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 180 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 390

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-89-3

外形尺寸

封装 SOT-89-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2PD2150,115

型号： 2PD2150,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SOT-89 NPN 20V 3A