








PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 PNP ,超过 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 80V 2.5A PCP
立创商城:
2SC6095-TD-E
欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
艾睿:
The versatility of this NPN 2SC6095-TD-E GP BJT from ON Semiconductor makes it capable of being use as either a switch or amplifier in your circuit. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6.5 V. Its maximum power dissipation is 1300 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 80 V and a maximum emitter base voltage of 6.5 V.
Allied Electronics:
ON Semi 2SC6095-TD-E NPN Bipolar Transistor, 2.5 A, 80 V, 3-Pin PCP
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 4-Pin3+Tab PCP T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1300mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Win Source:
TRANS NPN 80V 2.5A SOT89-3
频率 350 MHz
极性 NPN
耗散功率 1.3 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 2.5A
最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 600
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-243
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-243
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SC6095-TD-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |