PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
通用 PNP ,超过 1A,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
立创商城:
PNP 25V 2A
欧时:
ON Semiconductor 2SB1121S-TD-E , PNP 晶体管, 2 A, Vce=25 V, HFE:65, 150 MHz, 3引脚 PCP封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 25V
艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Allied Electronics:
ON Semi 2SB1121S-TD-E PNP Bipolar Transistor, 2 A, 25 V, 3-Pin PCP
安富利:
Trans GP BJT PNP 25V 2A 4-Pin3+Tab PCP T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 25V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Win Source:
TRANS PNP 25V 2A SOT89-3
频率 150 MHz
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.5 W
增益频宽积 150 MHz
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-243-3
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 TO-243-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SB1121S-TD-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |