2SB1121T-TD-E

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2SB1121T-TD-E概述

PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

通用 PNP ,超过 1A,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR


立创商城:
PNP 25V 2A


欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP PNP 2A 25V


艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Allied Electronics:
ON Semi 2SB1121T-TD-E PNP Bipolar Transistor, 2 A, 25 V, 3-Pin PCP


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 25V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R


Win Source:
TRANS PNP 25V 2A SOT89-3


2SB1121T-TD-E中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89-3

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SB1121T-TD-E
型号: 2SB1121T-TD-E
描述:PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
替代型号2SB1121T-TD-E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

2SB1121T-TD-E

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

2SB1121S-TD-E

安森美

功能相似

2SB1121T-TD-E和2SB1121S-TD-E的区别

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