









PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
通用 PNP ,超过 1A,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
立创商城:
PNP 25V 2A
欧时:
### 通用 PNP 晶体管,超过 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT BIP PNP 2A 25V
艾睿:
Trans GP BJT PNP 25V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Allied Electronics:
ON Semi 2SB1121T-TD-E PNP Bipolar Transistor, 2 A, 25 V, 3-Pin PCP
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 25V 2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 25V 2A 500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Win Source:
TRANS PNP 25V 2A SOT89-3
频率 150 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89-3
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SB1121T-TD-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1121S-TD-E 安森美 | 功能相似 | 2SB1121T-TD-E和2SB1121S-TD-E的区别 |