STMICROELECTRONICS 2STR1160 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 500 mW, 1 A, 250 hFE
通用 NPN ,STMicroelectronics
得捷:
TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
欧时:
STMicroelectronics 2STR1160 , NPN 双极晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:85, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Low-Volt Fast Switch NPN Pwr Tran
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 500 mW, 1 A, 250 hFE
艾睿:
Compared to other transistors, the NPN 2STR1160 general purpose bipolar junction transistor, developed by STMicroelectronics, can offer a high-voltage solution in your circuit. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS 2STR1160 Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 500 mW, 1 A, 250 hFE
Win Source:
TRANS NPN 60V 1A SOT-23
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 180 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 180 @0.5A, 2V
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.3 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Industrial, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2STR1160 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA42LT1G 安森美 | 功能相似 | 2STR1160和MMBTA42LT1G的区别 |
MMBTA06LT1G 安森美 | 功能相似 | 2STR1160和MMBTA06LT1G的区别 |
MMBT3904LT3G 安森美 | 功能相似 | 2STR1160和MMBT3904LT3G的区别 |