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2SD1835S概述

双极晶体管 Bipolar Transistor

- 双极 BJT - 单 NPN 150MHz 通孔 3-NP

得捷:
TRANS NPN 50V 2A 3NP

艾睿:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin NP Bag

安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin NP Bag

Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin NP Bag

Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin NP Bag

2SD1835S中文资料参数规格

技术参数

频率 150 MHz

极性 NPN

耗散功率 0.75 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V

额定功率Max 750 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

高度 5 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买2SD1835S

型号： 2SD1835S

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双极晶体管 Bipolar Transistor