PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
通用 PNP ,超过 1A,
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor 2SD1624S-TD-E , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 150 MHz, 3引脚 PCP封装
得捷:
TRANS NPN 50V 3A PCP
立创商城:
2SD1624S-TD-E
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 150 MHz, 500 mW, 3 A, 140 hFE
艾睿:
The three terminals of this NPN 2SD1624S-TD-E GP BJT from ON Semiconductor give it the ability to be used as either an electronic switch or amplifier. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 50 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.
Allied Electronics:
ON Semi 2SD1624S-TD-E NPN Bipolar Transistor, 3 A, 50 V, 3-Pin PCP
安富利:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab PCP T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R
Win Source:
TRANS NPN 50V 3A PCP
频率 150 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 500 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 140
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89-3
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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2SD1624S-TD-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SD1624S-TD-H 安森美 | 类似代替 | 2SD1624S-TD-E和2SD1624S-TD-H的区别 |