PNP 晶体管，超过 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
通用 PNP ，超过 1A，
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 120 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 20 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 120 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 560 @500mA, 2V
额定功率Max 500 mW
直流电流增益hFE 280
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.5 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-89
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SD1628G-TD-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |