PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
通用 PNP ，超过 1A，On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
### ，On Semiconductor
的各种双极晶体管，包括以下类别：
小信号晶体管
功率晶体管
双晶体管
复合晶体管对
高电压晶体管
射频晶体管
双极/FET 晶体管
频率 150 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.5 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 140 @100mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 280
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-62-3
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SC-62-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
2SB1124S-TD-E ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
2SB1124S-TD-H 安森美 | 类似代替 | 2SB1124S-TD-E和2SB1124S-TD-H的区别 |
2SB1124S 三洋 | 功能相似 | 2SB1124S-TD-E和2SB1124S的区别 |